UFABC-professores-CECS

Renan Trevisoli Doria

Graduou-se em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI em 2007, recebendo o 'Prêmio CREA-SP de Formação Profissional' e o 'Prêmio Instituto de Engenharia'. Em 2010, recebeu o título de Mestre em Engenharia Elétrica na área de dispositivos eletrônicos integrados pelo Centro Universitário FEI. Em 2013, recebeu o título de Doutor em Ciências pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo na área de Microeletrônica. Em 2012, realizou estágio de pesquisa no Tyndall National Institute, University College Cork, Irlanda, onde trabalhou na caracterização elétrica e modelagem de dispositivos MOS sem junções. Pelo seu trabalho de Doutorado recebeu Menção Honrosa no Prêmio Capes de Tese, Menção Honrosa no Prêmio Tese Destaque USP e o prêmio '2 Concurso de Teses e Dissertações da SBMicro - CEITEC S.A.' na categoria 'Tecnologia e Processo de Fabricação de Semicondutores', promovido pela Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Também recebeu o prêmio 'Region 9 Biennial Outstanding Student Paper Award', destinado ao melhor artigo da América Latina publicado por um aluno em evento ou periódico patrocinado pelo IEEE no biênio 2012/2013. Realizou Pós-Doutorado no Centro Universitário FEI entre 2014 e 2017, atuando principalmente na caracterização elétrica, modelagem e simulação de dispositivos semicondutores. Foi Professor Visitante na Universidade Federal do ABC (UFABC) entre 2018 e 2020. Atualmente, é Coordenador do Curso de Engenharia de Sistemas Ciber Físicos da PUC-SP. Também é Professor no Insper na disciplina de Elementos de Sistemas, nos cursos de engenharia da PUC-SP, além de Pesquisador Colaborador na UFABC. (Texto informado pelo autor)

http://lattes.cnpq.br/4251940542370219 (20/03/2026)

Rótulo/Grupo: CECS

Bolsa CNPq:

Período de análise: 2018-2020

Endereço: Pontifícia Universidade Católica de São Paulo, Faculdade de Ciências Exatas e Tecnologia. Rua Marquês de Paranaguá Consolação 01303050 - São Paulo, SP - Brasil Telefone: (11) 31247200

Grande área: Engenharias

Área: Engenharia Elétrica

Citações: Google Acadêmico

Produção bibliográfica

Artigos completos publicados em periódicos (9)
1. TREVISOLI, RENAN ; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO ; CAPOVILLA, CARLOS EDUARDO ; BARRAUD, SYLVAIN ; DORIA, RODRIGO TREVISOLI. Analytical Model for Low-Frequency Noise in Junctionless Nanowire Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. v. 67, p. 2536-2543, issn: 0018-9383, 2020.[doi]
2. COSTA, FERNANDO JOSÉ ; DORIA, RENAN TREVISOLI ; Doria, Rodrigo Trevisoli. Substrate Effect Evaluation by the Analysis of Intrinsic Capacitances in SOI UTBB Transistors. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS). v. 15, p. 1-6, issn: 1872-0234, 2020.[doi]
3. GRAZIANO JUNIOR, NILTON ; TREVISOLI, RENAN ; Doria, Rodrigo Trevisoli. Analysis of the Correlation Between NBTI Effect and the Surface Potential in Junctionless Nanowire Transistors. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS). v. 15, p. 1, issn: 1807-1953, 2020.[doi]
4. COSTA, FERNANDO J. ; TREVISOLI, RENAN ; Doria, Rodrigo Trevisoli. UTBB MOSFETs Thermal Coupling Analysis in Technological Node Level. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS). v. 15, p. 1, issn: 1807-1953, 2020.[doi]
5. TREVISOLI, RENAN; PICOLI, MARCOS ; DORIA, RODRIGO T.. Effect of Interface Traps on the RTS Noise Behavior of Junctionless Nanowires. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS). v. 15, p. 1-5, issn: 1872-0234, 2020.[doi]
6. TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO T. ; de Souza, Michelly ; BARRAUD, SYLVAIN ; PAVANELLO, Marcelo A.. Junctionless Nanowire Transistors Parameters Extraction Based on Drain Current Measurements. SOLID-STATE ELECTRONICS. v. 158, p. 37-45, issn: 0038-1101, 2019.[doi]
7. TREVISOLI, RENAN; Doria, Rodrigo Trevisoli ; BARRAUD, SYLVAIN ; Pavanello, Marcelo Antonio. Modeling the interface traps-related low frequency noise in triple-gate SOI junctionless nanowire transistors. MICROELECTRONIC ENGINEERING. v. 215, p. 111005, issn: 0167-9317, 2019.[doi]
8. Pavanello, Marcelo Antonio ; TREVISOLI, RENAN ; Doria, Rodrigo Trevisoli ; de Souza, Michelly. Static and dynamic compact analytical model for junctionless nanowire transistors. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. v. 30, p. 334002, issn: 0953-8984, 2018.[doi]
9. Doria, Rodrigo Trevisoli ; TREVISOLI, RENAN ; de Souza, Michelly ; Pavanello, Marcelo Antonio. Physical Insights on the Dynamic Response of SOI n- and p-Type Junc-tionless Nanowire Transistors. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS). v. 13, p. 1-7, issn: 1807-1953, 2018.[doi]
Livros publicados/organizados ou edições (0)
Capítulos de livros publicados (0)
Textos em jornais de notícias/revistas (7)
1. BEZERRA, R. C. A. ; TREVISOLI, RENAN. Desenvolvimento de um Dispositivo Biométrico para Monitoramento de Sinais Vitais. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 58, p. 8, .
2. PEDROSO, K. T. ; TREVISOLI, RENAN. Projeto de um Circuito de Captação de Energia de RF. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 58, p. 17, .
3. VASCONCELOS, W. S. ; TREVISOLI, RENAN. Desenvolvimento de Dispositivo Inteligente para Deficientes Visuais. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 58, p. 54, .
4. GARRIDO, V. R. M. ; TREVISOLI, RENAN. Desenvolvimento de um Oxímetro de Pulso Considerando a Influência da Cor da Pele. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 58, p. 55, .
5. PEDROSO, K. T. ; TREVISOLI, RENAN. Conversor RF-CC em Banda ISM de 2,4 GHz. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 60, p. 6, .
6. CORREA, F. M. A. ; TREVISOLI, RENAN. Sistemas de Estimulação Elétrica para Tumor Treating Fields. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, p. 72, .
7. BARBOSA, G. M. ; TREVISOLI, RENAN. Análise de Eletroenceflograma para Detecção de Epilepsia Utilizando Inteligência Artificial. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, São Paulo, , v. 60, p. 67, .
Trabalhos completos publicados em anais de congressos (12)
1. COSTA, FERNANDO J. ; TREVISOLI, RENAN ; de Souza, Michelly ; DORIA, RODRIGO T.. Analysis of the Thermal Properties of Self-Cascode Structures Composed by UTBB Transistors. Em: 2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), p. 1, 2020.[doi]
2. COSTA, FERNANDO J. ; TREVISOLI, RENAN ; DORIA, RODRIGO T.. Thermal Cross-Coupling Effects Analysis in UTBB Transistors. Em: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), p. 1, 2020.[doi]
3. GRAZIANO, N. ; DA COSTA, F. J. ; TREVISOLI, R. ; DORIA, R.T.. Correlation between the NBTI Effect and the Interface Traps Density in Junctionless Nanowire Transistors. Em: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOIULIS), p. 1, 2020.[doi]
4. MOREIRA, CLAUDIO V. ; TREVISOLI, RENAN ; Pavanello, Marcelo Antonio. Verilog-A Implementation of Static and Dynamic Trigate Junctionless Nanowire Transistor Compact Model. Em: 2019 Latin American Electron Devices Conference (LAEDC), p. 1, 2019.[doi]
5. FONTE, E. T. ; TREVISOLI, R. ; DORIA, R. T.. Applicability of Charge Pumping Technique for Evaluating the Effect of Interface Traps in Junctionless Nanowire Transistors. Em: 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2019.[doi]
6. COSTA, FERNANDO J. ; TREVISOLI, RENAN ; DORIA, RODRIGO T.. Analysis of the substrate effect by the capacitive coupling in SOI UTBB Transistors. Em: 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2019.[doi]
7. GRAZIANO, N. ; DA COSTA, F. J. ; TREVISOLI, R. ; DORIA, R. T.. Correlation Between the Electric Field and the Negative Temperature Bias Instabilities Degradation in Junctionless Nanowire Transistors. Em: 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2019.[doi]
8. TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO ; BARRAUD, SYLVAIN ; PAVANELLO, MARCELO. Compact Analytical Model for Trap-Related Low Frequency Noise in Junctionless Transistors. Em: ESSDERC 2019 49th European SolidState Device Research Conference (ESSDERC), p. 194, 2019.[doi]
9. TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO ; de Souza, Michelly ; PAVANELLO, MARCELO. Accounting for Series Resistance in the Compact Model of Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors. Em: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2018.[doi]
10. FERNO COSTA, J. ; TREVISOLI, RENAN ; RODRIGO DORIA, T.. Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors. Em: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2018.[doi]
11. GRAZIANO JUNIOR, NILTON ; DORIA, RODRIGO ; BARRAUD, SYLVAIN ; TREVISOLI, RENAN. Experimental Analysis of Negative Temperature Bias Instabilities Degradation in Junctionless Nanowire Transistors. Em: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2018.[doi]
12. TREVISOLI, R. ; DORIA, R. T. ; DE SOUZA, M. ; Pavanello, M. A.. Modeling the Interface Trap Density Influence on Junctionless Nanowire Transistors Behavior. Em: 2018 IEEE SOI3DSubthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), p. 1, 2018.[doi]
Resumos expandidos publicados em anais de congressos (1)
1. TREVISOLI, RENAN; Doria, Rodrigo Trevisoli ; PAVANELLO, M.A.. Modeling the Interface Traps‐Related Low Frequency Noise in Triple‐Gate SOI Junctionless Nanowire Transistors. Em: INFOS 2019 - 21st biennial conference ?Insulating Films of Semiconductors?, 2019, Cambridge. INFOS 2019 - 21st biennial conference ?Insulating Films of Semiconductors?, 2019.
Resumos publicados em anais de congressos (0)
Artigos aceitos para publicação (0)
Apresentações de trabalho (0)
Demais tipos de produção bibliográfica (0)

Produção técnica

Programas de computador com registro (0)
Programas de computador sem registro (0)
Produtos tecnológicos (0)
Processos ou técnicas (0)
Trabalhos técnicos (0)
Demais tipos de produção técnica (0)
Entrevistas, mesas redondas, programas e comentários na mídia (0)

Produção artística

Total de produção artística (0)

Orientações em andamento

Supervisão de pós-doutorado (0)
Tese de doutorado (0)
Dissertação de mestrado (0)
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (0)
Orientações de outra natureza (0)

Supervisões e orientações concluídas

Supervisão de pós-doutorado (0)
Tese de doutorado (0)
Dissertação de mestrado (0)
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (0)
Orientações de outra natureza (0)

Projetos de pesquisa

Total de projetos de pesquisa (2)
1. 2020-2023. Simulação Atomística das Propriedades Elétricas de Nanofios Transistores MOS
  Descrição: Este projeto de pesquisa em colaboração tem por objetivo aprimorar a ferramenta de simulação atomística, capacitando-a para a simulação de nanofios transistores MOS. Os resultados obtidos das simulações atomísticas serão comparados com resultados experimentais,aprofundando os conhecimentos sobre as propriedades elétricas de nanofios transistores MOS, quando submetidos a condições de temperatura variável. Serão utilizados para as medidas elétricas nanofios transistores MOS fabricados no CEA-Leti, França. Simulações numéricas tridimensionais, utilizando técnicas semi-clássicas serão também utilizadas para a comparação com as simulações atomísticas, avaliando o limite da utilização das ferramentas baseadas no transporte de cargas pelos mecanismos de difusão e deriva
  Situação: Concluído.
  Natureza: Pesquisa.
  Integrantes: Renan Trevisoli Doria - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Rodrigo Trevisoli Doria - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / Thales Augusto Ribeiro - Integrante / Allan Roberto Molto - Integrante / Gilson Inácio Wirth - Integrante / Flávio Enrico Bergamaschi - Integrante / Fábio Fedrizzi Vidor - Integrante / Vinícius Valduga de Almeida Camargo - Integrante / Thiago Hanna Both - Integrante / Alan Carlos Junior Rossetto - Integrante / Gabriela Firpo Furtado - Integrante / Caroline dos Santos Soares - Integrante.
  Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / FUNDACAO DE AMPARO A PESQUISA DO ESTADO DO RIO GRANDE DO SUL - Auxílio financeiro.
  Membro(s): Renan Trevisoli Doria.
2. 2020-Atual. Modelagem, simulação e caracterização de dispositivos eletrônicos visando à aplicação em RF energy harvesting
  Descrição: Dispositivos eletrônicos são utilizados em inúmeros circuitos analógicos e digitais em diversas áreas de controle, telecomunicações, processamento de sinais entre outros. Circuitos com vistas a Internet das Coisas (IoT - Internet of Things) são de baixa potência e, em geral, possuem conexões sem fio. A fim de se evitar a necessidade de baterias, tais circuitos podem ser alimentados considerando o conceito de captura de energia (energy harvesting), em que a energia eletromagnética é convertida em energia elétrica. Com o intuito de se analisar a operação de um dispositivo em circuitos elétricos, modelos analíticos são necessários. Esses modelos devem ser funcionais para dispositivos de diferentes características, operando em diferentes polarizações e temperaturas. Em caso de dispositivos que operam em alta frequência, como os utilizados em energy harvesting, a frequência de operação também deve ser considerada no modelo. Assim, este projeto tem como objetivo realizar a modelagem analítica, simulação e caracterização elétrica de dispositivos semicondutores, visando à aplicação a circuitos de baixa potência. Para tal, é necessário realizar simulações numéricas e medidas elétricas. Com o modelo analítico desenvolvido e calibrado, pode-se prever corretamente o funcionamento de circuitos, além de otimizá-los para a operação em determinadas condições de polarização e temperatura
  Situação: Em andamento.
  Natureza: Pesquisa.
  Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (2).
  Integrantes: Renan Trevisoli Doria - Integrante / Carlos Eduardo Capovilla - Coordenador / IVAN ROBERTO SANTANA CASELLA - Integrante.
  Membro(s): Renan Trevisoli Doria / Ivan Roberto Santana Casella / Carlos Eduardo Capovilla.

Prêmios e títulos

Total de prêmios e títulos (0)

Participação em eventos

Total de participação em eventos (5)
1. 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2019. 2019. (Congresso).
2. 49th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2019. Compact Analytical Model for Trap-Related Low Frequency Noise in Junctionless Transistors. 2019. (Congresso).
3. INFOS 2019 - 21st biennial conference ?Insulating Films of Semiconductors?. Modeling the Interface Traps‐Related Low Frequency Noise in Triple‐ Gate SOI Junctionless Nanowire Transistors. 2019. (Congresso).
4. 2018 IEEE SOI?3DI? Subthreshold (S3S) Microelectronics Technology Unified Conference. Modeling the Interface Trap Density Influence on Junctionless Nanowire Transistors Behavior. 2018. (Congresso).
5. 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2018). Accounting for Series Resistance in the Compact Model of Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors. 2018. (Congresso).

Organização de eventos

Total de organização de eventos (2)
1. TREVISOLI, RENAN. Semana Acadêmica da Engenharia de Sistemas Ciber Físicos. 2025. (Outro).. . 0.
2. TREVISOLI, RENAN. Semana Acadêmica da Engenharia de Sistemas Ciber Físicos. 2024. (Outro).. . 0.

Lista de colaborações

Colaborações endôgenas (1)
- Renan Trevisoli Doria ⇔ Carlos Eduardo Capovilla (1.0)
  1. TREVISOLI, RENAN ; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO ; CAPOVILLA, CARLOS EDUARDO ; BARRAUD, SYLVAIN ; DORIA, RODRIGO TREVISOLI. Analytical Model for Low-Frequency Noise in Junctionless Nanowire Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. v. 67, p. 2536-2543, issn: 0018-9383, 2020.[doi]

Data de processamento: 17/05/2026 10:04:48